PbZrxTi1-xO3多层膜中与极性缺陷复合体相关的介电驰豫

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lck2000

【摘要】

：

研究了由致密PbZr0.38Ti0.62O3和多孔PbZr0.38Ti0.62O3膜层交替排列组成的多层膜在温度为420K时的介电行为.在102～106Hz的频率范围,观测到两种截然不同的介电驰豫.位于低频区

【作者】

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胡古今张婷孙璟兰朱大明褚君浩戴宁

【机构】

：

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,密苏里-堪萨斯城市大学物理系

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2009年5期

【关键词】

：

PbZr0.38Ti0.62O3多层膜极性缺陷复合体介电驰豫 PbZr0.38Ti0.62O3 multilayer dipolar defect comp

【基金项目】

：

Supported by National Natural Science Foundation of China （Grants No. 60578058, 10774154 and 60221502）, Knowledge Innovation Program of Chinese Academy of Sciences, and Shanghai City Committee of Scie

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研究了由致密PbZr0.38Ti0.62O3和多孔PbZr0.38Ti0.62O3膜层交替排列组成的多层膜在温度为420K时的介电行为.在102～106Hz的频率范围,观测到两种截然不同的介电驰豫.位于低频区的介电损耗峰归因于空间电荷极化.通过俄歇电子谱和电子顺磁共振谱分析,初步判定遵从Arrhenius律、热激活能为0.49eV的高频介电驰豫则起源于氧空位V¨0和Ti3＋形成的极性缺陷复合体V¨0-Ti3＋对交变电场的响应.

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