轻掺杂漏LDD MOSFET的工艺及特性

来源 :应用科学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lx7792414

【摘要】

：

对LDD MOSFET的两种形成技术——侧向刻蚀和边墙技术进行了分析和比较,证明了边墙技术对控制轻掺杂区域长度具有更高的精确性;同时,利用边墙技术和全离子注入工艺,在硅栅NMOS

【作者】

：

郑庆平章倩苓阮刚陈晓

【机构】

：

复旦大学; 复旦大学;

【出处】

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应用科学学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

轻掺杂漏金属-氧化物-半导体场效应晶体管边墙技术短沟道效应

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助课题

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对LDD MOSFET的两种形成技术——侧向刻蚀和边墙技术进行了分析和比较,证明了边墙技术对控制轻掺杂区域长度具有更高的精确性;同时,利用边墙技术和全离子注入工艺,在硅栅NMOS工艺基础上,成功地制得了1μm沟道长度的LDD MOSFET.测试结果表明,LDD MOSFET击穿电压高于常规MOSFET 3V以上,同时阈值电压的短沟效应明显减小.这些优点意味着LDD MOSFET结构在VLSI中有着广泛的应用前景.

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