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自９０年代初，在ＧａＮ材料的ｐ型掺杂和异质外延技术取得突破性进展之后，ＧａＮ的区姆接触及腐蚀技术就成为ＧａＮ器件向商品化发展的关键工艺。本文论术了ＧａＮ的欧姆接触和腐蚀工艺的研究现状。
GaN器件的某些关键工艺及其进展
【摘 要】
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自９０年代初，在ＧａＮ材料的ｐ型掺杂和异质外延技术取得突破性进展之后，ＧａＮ的区姆接触及腐蚀技术就成为ＧａＮ器件向商品化发展的关键工艺。本文论术了ＧａＮ的欧姆接触和腐蚀工艺的研究现状。
【机 构】
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河北大学电子与信息工程系
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1997年4期
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