【摘 要】
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计算了InGaAsP SBH 激光器的TE00模,并利用非傍轴矢量矩理论,分析了平行于p-n结方向上的光学质量因子M2y.在以往有关M2的计算中,往往忽略了包层中光场的贡献,因此得出M2小于1
【机 构】
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浙江大学国家光学仪器工程技术研究中心,日本滨松光子学株式会社中央研究所
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计算了InGaAsP SBH 激光器的TE00模,并利用非傍轴矢量矩理论,分析了平行于p-n结方向上的光学质量因子M2y.在以往有关M2的计算中,往往忽略了包层中光场的贡献,因此得出M2小于1的结论.当半导体激光器的激活层的尺寸远小于发射波长时,大部分光场将渗透到包层中,因此,包层的光场是不能忽略的.考虑到激活层和包层中的光场对M2的影响,给出了非傍轴半导体激光M2的精确表达式.结果表明,My大于1.
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