巨磁阻材料Sr1.9Gd0.1FeMoO6光掺杂的正电子湮没研究

来源 :信阳师范学院学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jiangwei_joy
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采用固相反应法制备Sr1.9Gd0.1FeMoO6样品,通过X射线衍射检验其为单相.在光照10、20、30、40 min后分别做了正电子湮没实验.研究了正电子寿命与光掺杂量之间的变化关系,分析了光掺杂对样品电子结构的影响.结果表明:正电子寿命参数对光掺杂量十分敏感,1τ、2τ随光照时间具有相同的变化趋势;在光照时间t〉20 m in时,平均电子浓度随光照时间有明显的变化;持续的光掺杂使样品缺陷的平均尺寸相对减小,可能由微空洞、多空穴向双空穴或单空穴转变,使电子结构趋于有序化.
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