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采用2DMOS模拟软件对数据线与其相邻像素电极所构成的耦合电容Cpd进行了模拟，重点研究了介电常数对数据线左右侧的耦合电容Cpd的影响机理及趋势。通过模拟得出：数据线左侧的耦合电容Cpd主要受液晶层间的电场力影响，数据线右侧的耦合电容Cpd主要受到耦合电容Cpd间的电场力影响，而总耦合电容Cpd中占主要部分的是右侧耦合电容Cpd，因此可通过降低右侧耦合电容Cpd的方法来降低总耦合电容Cpd。