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在这篇论文, Ar 离子轰炸的效果在非结晶的 Si 电影的电子横梁蒸发免职期间被调查。轰炸到二~十一次增加轻吸收并且到 3 000 次增加这部电影的传导力,这被发现。这以前从来没与电子横梁蒸发免职非结晶的 Si 被报导过。CLC 数字 O484.1 - 中国(G200 068302 ) 的国家关键基本研究计划支持的 O484.4+1 文件代码 A,资助的北京教育委员会(KM200310005 009 ) ,北京市政的科学与技术委托资助(D0404003040221 )