用于脉冲功率领域的碳化硅四层器件性能概述

来源 :现代应用物理 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhuxuxu520

【摘要】

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综合论述了基于碳化硅（SiC)材料制备的四层器件在脉冲功率领域的应用现状或前景。调研了SC超级门极可关断晶闸管（super gate turn-off thyristor,SGTO)的研究进展，总结了近年来

【作者】

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梁琳潘铭舒玉雄张鲁丹

【机构】

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华中科技大学光学与电子信息学院

【出处】

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现代应用物理

【发表日期】

：

2016年2期

【关键词】

：

SiC SGTO SiC ETO SiC RSD 碳化硅脉冲功率

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综合论述了基于碳化硅（SiC)材料制备的四层器件在脉冲功率领域的应用现状或前景。调研了SC超级门极可关断晶闸管（super gate turn-off thyristor,SGTO)的研究进展，总结了近年来获得的实验结果。实验研究了SiC发射极可关断晶闸管（emitter turn-off thyristor，ETO)的开通过程。结果表明，开通dl/R可以在一定条件下受控，以适应脉冲功率或电力电子变换的不同需求，实验获得最大功率密度为329kW*cm_2。建立了SiC反向开关晶体管（reversely s

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