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低k1光刻（Photolithography）工艺提高了RET（Resolution Enhancement Technology）在纳米设计中的应用复杂度。在45纳米，更多的复杂模式、工艺的窗口修正（window correction）、以及验证需求增加了计算负担。在双重压力下，45纳米工艺需要更加先进的光刻工具。