【摘 要】
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以单相多晶Cu1+xAl1-xO2陶瓷做靶材,采用射频磁控溅射方法在石英衬底上沉积了Cu过量的Cu1+xAl1-xO2(0≤x≤0.04)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电导率的测试,表
【机 构】
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内蒙古工业大学材料科学与工程学院,北京工业大学材料科学与工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(11762014),内蒙古工业大学科学研究项目(ZY201808).
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以单相多晶Cu1+xAl1-xO2陶瓷做靶材,采用射频磁控溅射方法在石英衬底上沉积了Cu过量的Cu1+xAl1-xO2(0≤x≤0.04)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电导率的测试,表征了不同含Cu量Cu1+xAl1-xO2薄膜的结构与光电性能。结果表明,沉积态薄膜经退火处理后,由非晶转变为具有铜铁矿结构的纯相Cu1+xAl1-xO2;退火态薄膜在可见光区域的平均透过率约为55%,平均可见光透过率不受Cu含量的影响;退火态薄膜样品的室温电导率随Cu含量的增加而增大,Cu1.04Al0.9
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