CMOS多频带低噪声放大器设计

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：eponvlan

【摘要】

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提出了一种多频带低噪声放大器的设计方法，可用于集成多个频段于一部终端的通讯设备．它不同于以往的电路结构，而是由共栅极作为输入，与一个共源极MOS管构成两级放大器，并通过使用2

【作者】

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施晓楠陆伟成唐璞山 Leo de Vreede

【机构】

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复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,代尔夫特理工大学高科技实验室

【出处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

：

2008年6期

【关键词】

：

微电子学射频电路设计无线通信多频带应用低噪声放大器 microelectronies RF circuit design wireless commun

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提出了一种多频带低噪声放大器的设计方法，可用于集成多个频段于一部终端的通讯设备．它不同于以往的电路结构，而是由共栅极作为输入，与一个共源极MOS管构成两级放大器，并通过使用2bit的控制信号控制电路中的MOS开关，以调节电路工作在900MHz、1．7GHz和2．4GHz等三个不同的频带．电路使用先进的90nm工艺库进行仿真，结果显示各频带的增益均大于16dB，噪声系数小于1．7dB，三阶交调点IIP3和1dB增益压缩点分别大于-2．5dBm和-15．5dBm，电路同时具备了扩展并包含更多频带的能力．

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