管式PECVD工艺参数主要包括：温度、气体流量、压强、功率、频率开关比和沉积时间等。采用传统实验方法研究各工艺参数对氮化硅膜的减反射和钝化效果的影响是非常复杂困难的。采用实验设计DOE(Designofexperiments)方法对管式PECVD工艺主要参数进行了优化组合研究。结果显示，钝化效果较好的氮化硅膜沉积工艺参数为：温度460℃，压强为1150mTorr，功率为6100W，SiH4：NH3的流量比为1:6，其中温度对钝化效果影响最大，SiH4：NH3的流量比影响最小；减反射效果较好的氮化硅膜沉积工艺参数为：温度360℃，压强为1150mTorr，功率为5300W，SiH4：NH3的流量比为1:6，其中SiH4：NH3的流量比对减反射效果影响最大，温度影响最小。