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用电子柬蒸发技术在玻璃衬底上制备氧化铟锡薄膜．并在500℃下氮气氛围中退火1h．将退火后的薄膜用光刻技术形成一个M型规则线图，并记录连续4轮由室温升至400℃，接着降至室温过程中样品的电阻变化．测量数据显示．电阻温度曲线在温度上升和下降阶段存在滞后现象．结合半导体载流子输运理论建立模型，与降温实验数据拟合程度很好，但当用来解释升温数据时却存在明显的偏差．由降温过程的数据计算得到氧化铟锡的电阻温度系数在温度大于380℃后趋于＋1．393×10^-3／℃，同时给出了氧化铟锡薄膜的激活能．