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设计并制备了一种新型的(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱结构.使CdZnTe量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ZnS阱层,从而达到提高光双稳器件"关"速度的目的.并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结构中横向激子隧穿的存在,从而为进一步研究超高速光开关提供了实验依据.
（CdZnTe,ZnS）／ZnTe复合量子阱的光学特性研究
【摘 要】
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设计并制备了一种新型的(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱结构.使CdZnTe量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ZnS阱层,从而达到提高光双稳器件"关"速度的目的.并通过对发光特性
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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2001年4期
【基金项目】
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国家攀登计划，国家自然科学基金，国家自然科学基金
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