CMOS亚阈型带隙电压基准的分析与设计

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：my_zq

【摘要】

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带隙基准可提供近似零温度系数和大的电源电压抑制比的稳定电压基准,且与工艺基本无关.文中分析了MOSFET工作于强反型区与亚阈区的电压和电流限定条件,结合自偏置电路结构,给

【作者】

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【机构】

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东南大学无锡分校,上海南麟电子有限公司

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

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2005年3期

【关键词】

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带隙基准可提供近似零温度系数和大的电源电压抑制比的稳定电压基准,且与工艺基本无关.文中分析了MOSFET工作于强反型区与亚阈区的电压和电流限定条件,结合自偏置电路结构,给出了一种基于亚阈区的低功耗CMOS带隙基准电路的设计.

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