【摘 要】
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对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究。所有GaN样品均采用MOCVD工艺在蓝宝石（Al2O3）衬底上生长所得。应用多层介质膜模型,在300～800nm测试波长范
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划（973计划）资助项目（513270408）, 国家自然科学基金资助项目（60576007）
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对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究。所有GaN样品均采用MOCVD工艺在蓝宝石（Al2O3）衬底上生长所得。应用多层介质膜模型,在300～800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和折射率色散关系,并与GaN单层膜色散关系相比较,分析了各层膜之间对自身折射率的影响。研究结果表明,InN和Ga2O3表面均存在一个粗糙层,采用有效介质近似模型可使拟合结果更为准确;相对于GaN单层膜结构,InN薄膜使其下面的GaN层折射率明显增大,这应与界面层态密度
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