低温MOCVD法沉积的GaN/GaAs(001)薄膜中的孪晶现象

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yangzdh2008

【摘要】

：

采用同步辐射XRD极图法对低温MOCVD生长的GaN缓冲层薄膜进行了研究.极图研究表明,低温GaN薄膜中除有正常结晶外还存在一次孪晶和二次孪晶.在χ固定为55°时的{111}ψ扫描中发

【作者】

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沈晓明王玉田王建峰刘建平张纪才郭立平贾全杰姜晓

【机构】

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同济大学半导体与信息技术研究所,中国科学院半导体研究所集成光电国家重点实验室,中国科学院高能物理研究所同步辐射中心

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

X射线衍射金属有机物化学气相沉积氮化物 X-ray diffraction metalorganic chemical vapor deposition n

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采用同步辐射XRD极图法对低温MOCVD生长的GaN缓冲层薄膜进行了研究.极图研究表明,低温GaN薄膜中除有正常结晶外还存在一次孪晶和二次孪晶.在χ固定为55°时的{111}ψ扫描中发现了异常的Bragg衍射峰,表明GaN/GaAs(001)低温生长中孪晶现象非常明显.GaAs(001)表面上出现的{111}小面极性会在生长初期影响孪晶成核,实验结果表明孪晶更易在{111}B面即N面上成核.

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