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与传统的6晶体管施密特触发器相比,由两个互补金属氧化物半导体（CMOS）反向器组成的施密特触发器已经提出,该触发器具有鲜明的转换阈值电压和复位集（RS）.计算结果表明：新型施密特触发器在受温度影响方面明显优于传统施密特触发器.仿真结果表明：新型施密特触发器的温度系数是传统施密特触发器的五分之一.