用于外延生长高温超导薄膜的低损耗衬底

来源 :真空电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yangjianwu2008
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已对一种类钙钛矿单晶衬底材料做了研究,它允许外延生长1-2-3超导薄膜,同时具有所需的射频特性:低的介电常数和损耗正切。晶格常数为3.792埃,与1-2-3的a轴晶格匹配在1%以内。铒-钡-铜-氧化物的溅射膜已在(100)LaAlO_3(铝酸镧)衬底上制备成功,该膜在90K时显示陡峭的电阻转变(△T=1K),体超导电性由交流磁化率测量确定,由X-射线衍射和高分辨率扫描电子显微镜证明接近单晶生长。铝酸镧的高频介电特性在几种温度下做了实验研究。低频介电常数测得为15,微波损耗正切是在室温时的6×10
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