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以兼性景天酸代谢CAM植物霍山石斛为材料,研究了强光胁迫条件下,外源一氧化氮（NO）对霍山石斛叶绿素荧光参数的影响。结果表明：在强光胁迫下,0.1mmol/L硝普钠（SNP,NO供体）处理显著缓解强光对霍山石斛光合系统Ⅱ（PSⅡ）的抑制,霍山石斛PSⅡ荧光参数潜在光化学效率（Fv/Fm）、实际光化学效率（ΦPSⅡ）、光化学猝灭系数qL、非光化学猝灭系数NPQ和ΦNPQ下降缓慢,且非光化学猝灭系数ΦNO值较低,PSⅡ反应中心恢复较快,说明该处理缓解了光抑制的发生,保护了光合机构免受强光胁迫的伤害,而经0.5