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γ相Si3N4是一种超硬氮基化合陶瓷材料，在其尖晶石结构中硅原子分别占据四面体于八面体配位格点．基于第一性原理计算，研究了这种材料之中一种氧空位复合体VstON缺陷中心的不同价态下自旋极化的电子结构以及能量稳定性，其中该缺陷中心由四面体配位的硅空位复合紧邻替位氧原子而成．发现负一价态的该缺陷中一VsiON^-1在P型主体材料中是较为稳定的存在，并满足净自旋S=1的基态三重态，以及低激发能量的自旋守恒跃迁．通过平均场近似，将其在绝对零度下的自旋相干寿命估计为0．4s，室温下可达毫秒量级．因此理论上表明了Vs