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本文讨论的SOI(Silicon On Insulator)是BESOI (Bonding and Etch back SOI),由于在SOI材料上制造的集成电路(IC)和常规的体硅IC相比在性能上有许多优点,因此很有发展前途.目前SOI材料的性能和体硅相比确有一些差距,其主要原因是SOI的缺陷密度需进一步降低;但是有些质量问题要进行具体分析;例如工艺中不受控的重金属杂质集中在SOI区内无法泄漏;空气中硼(B)杂质污染硅片引起电阻率的变化;衬底的硅片是直拉单晶,其高浓度氧(0)杂质在高温时外扩散到SOI中