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根据应变理论及脊限深量子阱理论，对确定的In含量的InGaAs材料进行系统的计算，得到激射波长为1064nm激光器的应变量子阱的厚度，并采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长该应变量子阱，实验结果与设计波长基本一致。
1064nm应变量子阱的理论设计
【摘 要】
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根据应变理论及脊限深量子阱理论，对确定的In含量的InGaAs材料进行系统的计算，得到激射波长为1064nm激光器的应变量子阱的厚度，并采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长该应变
【机 构】
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重庆邮电大学光电工程学院
【出 处】
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江西通信科技
【发表日期】
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2009年3期
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