纳米SiO2／PI复合薄膜低温热膨胀系数的实验研究

来源 :北京交通大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wujie1983

【摘要】

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高热膨胀系数是聚酰亚胺薄膜在低温下作为热绝缘和电绝缘使用的主要不利因素之一.为了降低其热膨胀系数,选用低热膨胀系数的无机纳米SiO2对其进行改性,利用溶胶凝胶技术,制备

【作者】

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王正道蒋少卿李艳付绍云

【机构】

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北京交通大学,中国科学院理化技术研究所

【出处】

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北京交通大学学报

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

：

固体力学聚酰亚胺二氧化硅低温热膨胀系数 solid mechanics PI SiO_2 low temperature CTE

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高热膨胀系数是聚酰亚胺薄膜在低温下作为热绝缘和电绝缘使用的主要不利因素之一.为了降低其热膨胀系数,选用低热膨胀系数的无机纳米SiO2对其进行改性,利用溶胶凝胶技术,制备了不同SiO2含量的纳米SiO2/PI复合薄膜.利用自行设计的一套薄膜样品低温热膨胀系数测量装置,对纳米SiO2/PI复合薄膜室温至低温(77 K)的热膨胀系数进行了测量,给出了SiO2含量、外加载荷对复合薄膜热膨胀系数的影响关系.

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