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简述了SiC微波半导体的特性，通过与Si相关特性的比较，SiC在击穿电压、热传导率、增益特性等方面具有的显著优势，分析了SiC微波器件在有源相控阵雷达T／R组件中的应用前景，对T／R组件微波关键技术，功率放大链、高功率限幅器、低噪声接收机前端等微波半导体电路的设计思路进行了讨论，及SiC微波器件在T／R组件中的潜在应用，比较了Si和SiC时代，关键电路的特性及其技术状态，以及对未来军事电子设备相控阵雷达T／R组件发展的重要性。