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据报导日本电气通信研究所采用一种密闭的AsCl3-Ga-H2汽相外延系统,重复地生长出了高纯度的砷化镓外延层。低温(77°K)迁移率在1.8×105~2.1×105厘米2/伏·秒的范围内。改变AsCl3的浓度能够获得载流子浓度低于1015厘米-3的材料。已获得了载流子浓度为(2.0~5.3)×1013厘米-3的外延层,而且重复性较好。实验发现,当