0.18μm Low—k SiOF Integration and Reliability

来源 :微电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cxzclong

【摘要】

：

The requirement of reduced RC delay and cross-talk for multilevel interconnect ULSI applications has enthusiastically driven process development for seeking sui

【作者】

：

李伟 K.L.Young

【机构】

：

TaiwanSemiconductorManufacturingCo.Ltd.（TSMC）,No.9

【出处】

：

微电子技术

【发表日期】

：

2002年5期

【关键词】

：

硅氧氟集成超大规模集成电路可靠性 0.18μm低值SiOF集成二氧化硅

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The requirement of reduced RC delay and cross-talk for multilevel interconnect ULSI applications has enthusiastically driven process development for seeking suitable low dielectric constant materials with sufficient k value. The replacement of HDP FSG(k-3

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