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采用二维器件模拟器ISE TCAD7．0，对比研究了6H-SiC和4H-SiCVDMOS的基本特性。结果表明，在Vgs为8V时，4H-SiCVDMOS的漏极电流比6H-SiC高约1．5倍，证实了4H-SiC具有较高的体迁移率，且受准饱和效应的影响较小，因此比6H-SiC器件具有更高的饱和电流密度，而两种器件的阈值电压基本相同，均为7V左右。对器件开关时间和单位面积损耗的分析表明，4H-SiC比6H-SiC更适合用于VDMOS功率器件。此外，还研究了沟道长度对器件漏极饱和电流的影响，结果表明，随着沟道长度的