论文部分内容阅读
用Geant4软件对慢正电子束注入金属材料的过程进行了模拟,模拟计算了正电子垂直入射与倾斜入射金属材料的背散射系数,得到了倾斜入射条件下正电子深度分布曲线及入射倾角与正电子背散射系数的关系曲线,同时进一步分析了不同入射倾角条件下正电子在材料中的横向扩散行为,模拟结果表明金属材料原子序数越小,慢正电子束倾斜入射样品后其横向扩散越显著.该模拟研究为慢正电子束对金属材料的实验和理论研究提供了参考数据.