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本文研究了利用N型InSb单晶生长中形成的,与[111]生长方向相垂直的载流子密度分布的层状不均匀性,研制出灵敏度磁阻比值RB/RO=3（B=0.3T）的磁敏电阻。它们的零磁场电阻RO分别是20～100Ω和2×10～2×50Ω。同时对这种元件的可靠性进行了试验研究,失效率λ（t）达到小于1×10-5h-1的水平。