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2001<国际半导体技术指南(ITRS)>要求2004年IC芯片特征尺寸达90 nm.为了实现这个规划,必须采用IC制造的多种新工艺,如铜互连、低k绝缘层、CMP、高k绝缘层、应变硅和SOI等.
当前IC制造的几种新工艺
【摘 要】
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2001<国际半导体技术指南(ITRS)>要求2004年IC芯片特征尺寸达90 nm.为了实现这个规划,必须采用IC制造的多种新工艺,如铜互连、低k绝缘层、CMP、高k绝缘层、应变硅和SOI等.
【机 构】
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无锡市罗特电子有限公司
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2004年2期
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