【摘 要】
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采用直流对靶磁控溅射方法制备氧化钒薄膜,通过改变热处理温度获得了具有不同晶粒尺寸的相变特性氧化钒薄膜,对氧化钒薄膜相变过程中电阻和红外光透射率随温度的突变性能进行
【机 构】
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天津大学电子信息工程学院,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划（863）资助项目（2008AA031401）, 高等学校博士学科点专项科研基金（新教师类）资助项目（20100032120029）, 集成光电子学国家重点实验室课题资助项目（2010KFB001）
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采用直流对靶磁控溅射方法制备氧化钒薄膜,通过改变热处理温度获得了具有不同晶粒尺寸的相变特性氧化钒薄膜,对氧化钒薄膜相变过程中电阻和红外光透射率随温度的突变性能进行研究。结果表明：经300℃和360℃热处理后,薄膜内二氧化钒原子分数达到40%,氧化钒薄膜具有绝缘体-金属相变特性,薄膜的晶粒尺寸分别为50nm和100nm;经360℃热处理后,氧化钒薄膜表面变得致密,晶粒之间出现了联并;电学和光学相变特性的表征结果表明,电学与光学相变温度随晶粒尺寸的增加而减小;电学相变持续的温度宽度为30℃,而光学相变持续的温
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