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运用一种全量子模型，研究高k栅介质纳米MOSFET（场效应管）栅电流，特别用于各种材料高k栅介质和高k叠栅介质纳米MOSFET。使用该方法，研究了高k栅介质中氮含量等元素对栅极电流的影响，并对模拟结果进行了分析比较。结果显示，为了最大限度减少MOS器件的栅泄漏电流，需要优化介质中的氮含量。通过对比表明，模型与实验结果符合。