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研究了氮在退火过程中对直拉硅片中的氧沉淀分布的影响．实验结果表明，三步退火后在掺氮硅片截面形成特殊的M形的氧沉淀密度分布，即表面形成没有氧沉淀的洁净区(DZ)，体内靠近DZ区域形成高密度、小尺寸的氧沉淀，而在硅片的中心处形成低密度、大尺寸的氧沉淀．分析认为，由于在第一步高温退火过程中氮在硅片表面外扩散，同时在硅片体内促进氧沉淀，改变了间隙氧的分布，从而导致在随后的热处理过程中氧沉淀的特殊分布行为．