【摘 要】
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分析了SiGeHBT器件中子辐照效应损伤机理。运用MEDICI软件，对SiGeHBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究。计算了1MeV中子在不同辐照注量下对SiGeHBT器件交直流特征
【机 构】
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清华大学工程物理系,西北核技术研究所
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分析了SiGeHBT器件中子辐照效应损伤机理。运用MEDICI软件，对SiGeHBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究。计算了1MeV中子在不同辐照注量下对SiGeHBT器件交直流特征参数的影响规律；中子辐照损伤与SiGeHBT器件中Ge组分含量关系；以及不同缺陷类型对SiGeHBT器件交直流特征参数的影响规律。通过对SiGeHBT器件辐照效应的数值模拟计算，验证了相关辐照实验得出的规律。
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