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利用射频磁控溅射在石英衬底上生长出铟磷共掺氧化锌薄膜（ZnO：In，P），所用靶材为掺杂五氧化二磷（P2O3）和氧化铟（In：O3）的氧化锌（ZnO）陶瓷靶，掺杂质量分数分别为1．5％和0．3％，溅射气体为Ar和O2的混合气体。原生ZnO薄膜是绝缘的，600℃退火5min后导电类型为n型，而800℃退火5min后为P型。P型ZnO薄膜的电阻率、载流子浓度和霍尔迁移率分别为12．4Ω·cm，1．6×10^17cm^-3和3．29cm^2·V^-1·s^-1。X射线衍射