【摘 要】
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本文采用二步法制备Cu2ZnSnS4（CZTS）薄膜,首先通过真空热蒸发制备CuZnSn（CZT）预制层,其衬底加热温度分别为20℃、50℃、75℃和100℃,然后对所制备的CZT预制层在400℃下硫化60 min
【机 构】
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五邑大学应用物理与材料学院,陕西理工学院物理与电信工程学院
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本文采用二步法制备Cu2ZnSnS4（CZTS）薄膜,首先通过真空热蒸发制备CuZnSn（CZT）预制层,其衬底加热温度分别为20℃、50℃、75℃和100℃,然后对所制备的CZT预制层在400℃下硫化60 min,从而制备出CZTS薄膜。利用XRD、Raman、SEM、反射谱和透射谱对所制备的CZTS薄膜进行了表征,实验结果表明,预制层衬底加热温度对CZTS薄膜结构与光学特性有很大影响,在衬底加热50℃时制备预制层硫化后所得CZTS薄膜具有高的结晶度、致密均匀的薄膜表面和最佳1.5 eV光学带隙。此外,
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