【摘 要】
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面向多标准无线通信应用,设计了一款无电感型、交叉耦合噪声抵消的宽带低噪声放大器。低噪放采用NMOS/PMOS晶体管的交叉耦合对抵消了一部分输出噪声,在保持高增益和较低功耗
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(61704143);福建省自然科学基金面上项目(2018J01566);福建省中青年教师教育科研项目(JAT170428);厦门理工学院高层次人才项目(YKJ17019R)
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面向多标准无线通信应用,设计了一款无电感型、交叉耦合噪声抵消的宽带低噪声放大器。低噪放采用NMOS/PMOS晶体管的交叉耦合对抵消了一部分输出噪声,在保持高增益和较低功耗的同时,有效降低了噪声系数;同时,交叉耦合对中的PMOS也具有源退化功能,提高了低噪声的线性度。低噪放电路采用SMIC 0.18μm 1P6M厚栅氧工艺进行流片实现,测试结果表明,电源电压为3.3 V时,在140.0 MHz~1.4 GHz带宽内,最大增益为19.4 dB,最小噪声系数为1.58 dB;在有效带宽内,输入三阶交调点大于-1
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