应变Si1—xGex层材料和Si／Si1—xGex器件物理参数模型

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【摘要】

：

Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ异质结系统已成功地应用于高速数字、高频微波和光电器件中。对这些器件进行理解和分析时，往往受到应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料参数缺乏的制约。本文建立和给出了常温和低温下重要应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层材料和Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ器

【作者】

：

张万荣罗晋生

【机构】

：

北京工业大学电子工程系,西安交通大学微电子研究所

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

1998年3期

【关键词】

：

应变层有效态密度物理参数硅锗 Strained Si1-xGex layerEffective density of statesPhysi

【基金项目】

：

国家教委博士点基金,北京市科技新星计划

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Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ异质结系统已成功地应用于高速数字、高频微波和光电器件中。对这些器件进行理解和分析时，往往受到应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料参数缺乏的制约。本文建立和给出了常温和低温下重要应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层材料和Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ器件物理参数模型，对Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ异质结器件的理解、研究和设计有重要的实际意义。更多还原

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