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研究了SiO2厚度对光电二极管的电子辐射效应的影响。制备了3种光电二极管，分别采用不同厚度热氧化SiO2作为光敏面钝化膜。以能量为0．8 MeV的电子束为辐射源，对3种光电二极管进行4个剂量的辐射。实验发现，辐照后光电二极管的光电流衰减强烈依赖波长，在短波和长波阶段衰减明显，而在中波阶段基本不衰减；暗电流变化率随着辐照剂量迅速增加。另外，薄钝化的二极管光电流衰减最小，同时暗电流增加最显著。