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采用低成本、易操作的溶胶．凝胶法制备高质量的GaN纳米线。以硝酸镓为镓源、柠檬酸为络合剂制备出前驱物溶胶，甩胶于覆有催化剂的Si（111）衬底上，在氨气气氛下制备出GaN纳米线。利用XRD、SEM、TEM、EDS等对GaN纳米线进行表征与分析，结果表明1000℃氨化温度下，制备出的纳米线结晶度好，形貌优。并研究了催化生长GaN纳米线的生长机理。