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本文简述了采用密集型源区正面通孔结构的CX911型砷化镓微波场效应晶体管的设计要点、结构特点以及主要制作技术及其实测性能。该器件在18GHz下,输出功率为300mW、增益大于4dB、最高输出功率为350mW,增益大于5dB。
密集型源区正面通孔电镀热沉结构的18GHz 300mW GaAs MESFET
【摘 要】
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本文简述了采用密集型源区正面通孔结构的CX911型砷化镓微波场效应晶体管的设计要点、结构特点以及主要制作技术及其实测性能。该器件在18GHz下,输出功率为300mW、增益大于4d
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1989年2期
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