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常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx：H薄膜进行C^＋注入，能量为30keV，剂量为2×10^17cm^-2．对C＋注入的SiNx薄膜在800℃的温度下，进行2h的常规炉退火处理．通过XPS，AES的测量得到，经800℃高温退火处理后的薄膜形成了部分SiCxNy结构．用喇曼、XPS等分析手段对薄膜结构及成分进行了测量与分析，得到不同退火温度对离子注入形成SiCN薄膜结构与成分的影响，认为高温退火后薄膜中硅含量与SiCxNy薄膜的形成有重要的关系．