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应用AlGaN/GaN异质结中的压电极化和自发极化边界条件自洽求解了薛定谔方程和泊松方程,求出了异质结能带和二维电子气分布.研究了势垒层组分比、势垒层宽度、沟道层掺杂和栅电压变化对二维电子气特性的影响.着重研究了栅电压对二维电子气特性的控制作用,提出了使用薄势垒和重掺杂沟道的新HFET结构.
AlGaN／GaN二维电子气的特性研究
【摘 要】
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应用AlGaN/GaN异质结中的压电极化和自发极化边界条件自洽求解了薛定谔方程和泊松方程,求出了异质结能带和二维电子气分布.研究了势垒层组分比、势垒层宽度、沟道层掺杂和栅
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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2001年6期
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