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依照二次离子质谱(SIMS)、扩散电阻(SRP)和原子力显微镜(AFM)等分析手段,首次阐述了P型杂质Ga由SiO2膜的吸收输运和SiO2-Si内界面上的分凝效应两者的统一,完成硅中可控制掺杂的全过程;并揭示了其中SiO2薄层的表面效应及Si的体内效应;初步建立起SiO2/Si系下开管扩散Ga的模型.