fmax为100GHz的蓝宝石衬底AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiao531313486

【摘要】

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制作了蓝宝石衬底上生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管．0V栅压下，0．3μm增长、100μm栅宽的器件的饱和漏电流密度为0．85A／mm，峰值跨导为225mS／mm；特征频率和最高振荡频率分别为45和10

【作者】

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李献杰曾庆明周州刘玉贵乔树允蔡道民赵永林蔡树军

【机构】

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河北半导体研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2005年11期

【关键词】

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ALGAN/GAN HEMT 蓝宝石 AIGaN/GaN HEMT sapphire

【基金项目】

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国家重点基础研究发展规划（批准号：51327030201）和国家自然科学基金（批准号：60136020）资助项目,Acknowledgement The authors would like to thank Prof. Chen Kevin and Dr. Cheng Zhiqun with HKUST for the help of microwave performance measurem

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制作了蓝宝石衬底上生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管．0V栅压下，0．3μm增长、100μm栅宽的器件的饱和漏电流密度为0．85A／mm，峰值跨导为225mS／mm；特征频率和最高振荡频率分别为45和100GHz；4GHz频率下输出功率密度和增益分别为1．8W／mm和9．5dB，8GHz频率下输出功率密度和增益分别为1.12W／mm和11．5dB．

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