【摘 要】
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介绍了利用分子束外延系统生长高应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,采用脉冲阳极氧化技术制作脊型波导半导体激光器.4μm条宽脊型波导半导体激光器在室温下单面连续输出功率
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,School of Materials Science and Engineering Nanyang Technological University,
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介绍了利用分子束外延系统生长高应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,采用脉冲阳极氧化技术制作脊型波导半导体激光器.4μm条宽脊型波导半导体激光器在室温下单面连续输出功率达到50mW.腔长600μm时,器件阈值电流密度为300A/cm2.在100mA电流下,激光器的峰值波长为1.19μm,激光器的最大斜率效率为0.45W/A.在20℃至100℃温度下,激光器的特征温度为129K.
The growth of high strain InGaAs quantum well semiconductor laser materials by molecular beam epitaxy is introduced and the ridge waveguide semiconductor laser is manufactured by pulse anodic oxidation technology. The continuous output power of single ridge of 4μm wide ridge waveguide semiconductor laser reaches 50mW at room temperature. At 600μm, the threshold current density of the device is 300A / cm2.The peak wavelength of the laser is 1.19μm at 100mA and the maximum slope efficiency of the laser is 0.45W / A. The characteristic temperature of the laser at 20 ℃ to 100 ℃ is 129K.
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