【摘 要】
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无论在基础研究方面,还是在高技术应用方面,电子轰击原子的内壳电离截面都具有重要意义.目前电子轰击元素K和L壳层电离截面的测量多采用薄靶或气体靶,气体靶仅限于少数气体元
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无论在基础研究方面,还是在高技术应用方面,电子轰击原子的内壳电离截面都具有重要意义.目前电子轰击元素K和L壳层电离截面的测量多采用薄靶或气体靶,气体靶仅限于少数气体元素,而薄靶又因制靶的困难使测量工作难于开展.为了解决这些难题,提出在厚衬底上镀薄膜的新方法来测量元素内壳电离截面.用薄靶厚衬底技术测量了电子碰撞引起的元素钬和锇L壳分产生截面、总产生截面和平均电离截面,电子能量从阈能附近到36keV.同时,采用电子输运双群模型对衬底反射电子的影响作修正,并把实验结果与Gryzinski和McGuire的两个理论计算结果进行比较.
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