【摘 要】
:
近年来,羟自由基(OH)对DNA氧化损伤已受到广泛关注.但是很少研究OH对RNA的氧化损伤.其实,RNA与DNA一样,也是核酸的两大组分之一,也有许多重要功能.所以OH攻击RNA也会引起严重
论文部分内容阅读
近年来,羟自由基(OH)对DNA氧化损伤已受到广泛关注.但是很少研究OH对RNA的氧化损伤.其实,RNA与DNA一样,也是核酸的两大组分之一,也有许多重要功能.所以OH攻击RNA也会引起严重后果,会造成细胞功能衰退甚至细胞死亡等.为此,我们建立了Vit.C-CuSO4-Phen-H2O2-RNA这一产生和测定OH氧化损伤RNA的化学发光体系,以便加强OH氧化损伤RNA的研究.通过对本体系测定条件的研究,得出了本体系最佳组方是:Vit.C、CuSO4、Phen、H2O2和RNA,浓度分别为350μmol/L
其他文献
采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法,通过纯SiH4气体的表面热分解反应,在SiO2表面上自组织生长了半球状Si纳米量子点,在室温条件下实验研究了其光致发光(PL)特性,考察了PL效率
研究了液氦薄膜表面电子与涟波子弱耦合的性质,采用线性组合算符和微扰法导出电子-涟波子系统的有效质量.当计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的涟波子之间相互作用时,
介绍一个从晶体结构出发建立的晶体结构配位数与最佳掺杂含量关系的一个简单的理论表达式,对硫化锌纳米微晶锰掺杂最佳含量作出理论计算,定量计算的结果与实验数据相符合.该
研究了3种非共轭PPV聚合物以及3种共轭PPV衍生物的吸收谱和发光光谱的特性。非共轭PPV聚合物上的侧链烷氧基团有着很强的供电子能力,对调节非共轭聚合物能带带隙有重要的影响,
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化.结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带
新型微球板电子倍增器和微通道板相比具有高增益、无离子反馈、制备简单、造价低廉等优点.介绍了微球板电子倍增器的工作原理、特点和广阔的应用前景.由于微球板基体的形成技
采用金属蒸气真空弧离子源(MEVVA)制备了掺Nd3+硅基薄膜材料.用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000℃退火处理形成NdSi相钕
揭示了发光聚合物中光激发引起的一个新现象:光激发即吸收一个光子使发光聚合物中的正双极化子分裂成两个带正电的极化子,从而使发光聚合物中的磁化率改变.
通过对(BiTm)3(FeGa)5O12膜施工加低频交变磁场,匀速率增加的直流磁场和同时对该膜施加这两种磁场(复合外场),用照相划线读数方法和通过电荷耦合器件(CCD)-计算机作数字化处理
采用固相反应法合成了掺杂Eu3+离子的LaPO4,并用X射线粉末衍射对其结构进行了表征.XRD数据经计算机处理表明:LaPO4属单斜晶系,晶胞参数a=6.84A,b=7.08A,c=6.46A,β=103.85