【摘 要】
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我们用AIXTRON生产的LP-MOCVD系统进行了InGaAs(P)/InP材料的生长研究,用X-ray双晶衍射仪、PL光荧光光谱仪、α-台阶仪及C-V仪等分析手段,研究生长工艺对材料特性的影响,取得
【机 构】
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我们用AIXTRON生产的LP-MOCVD系统进行了InGaAs(P)/InP材料的生长研究,用X-ray双晶衍射仪、PL光荧光光谱仪、α-台阶仪及C-V仪等分析手段,研究生长工艺对材料特性的影响,取得了很好的结果。目前,我们已掌握一套MOCVD生长材料的标准参数,利用这些参数生长了1.31μm体材料激光器和量子阱激光器结构,阈值电流密度J_(th)分别为1、1 kA/cm~2和1.0 kA/cm~2。
The growth of InGaAs (P) / InP materials was investigated by LP-MOCVD system from AIXTRON. The growth of InGaAs (P) / InP materials was investigated by X-ray double crystal diffraction, PL fluorescence spectroscopy, On the material properties, and achieved good results. At present, we have mastered a set of standard parameters of MOCVD growth materials. The 1.31μm bulk laser and quantum well laser structure are grown by these parameters. The threshold current density J th (th) are 1,1 kA / cm ~ 2 and 1.0 kA / cm ~ 2.
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